使用新一代232层3D TLC NAND闪存，带来了更好的体验，该闪存基于上一代176层NAND中的成熟技术，提供了卓绝的性能。

　　该硬盘号称能达到10000 MB/s的顺序读写速度，可为游戏发烧友以及专业创作者带来更加流畅和记官网的操作体验。

　　此外，它采用M.2 2280 PCB设计，广泛兼容，满足PS5、笔记本、台式机和记官网等设备扩容需求，能有效减少外部排线，轻松实现简约安装。